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汽車(chē)FPC之中國(guó)汽車(chē)的警鐘響了嗎?

文章來(lái)源:作者:何琴 查看手機(jī)網(wǎng)址
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人氣:1074發(fā)布日期:2023-02-07 09:19【

  在封堵中國(guó)半導(dǎo)體的路上,美國(guó)終于從孤身作戰(zhàn)升級(jí)到結(jié)盟聯(lián)控。剛剛?cè)牖锏暮商m和日本正就三國(guó)達(dá)成的協(xié)議,進(jìn)行國(guó)內(nèi)立法層面的準(zhǔn)備。由于未知的原因,三國(guó)并不打算公開(kāi)完整的磋商內(nèi)容。不過(guò),越來(lái)越多流出的信息顯示,新一輪對(duì)華半導(dǎo)體出口管制措施的威力比預(yù)想中的要大。

  據(jù)汽車(chē)FPC小編了解,原本限于先進(jìn)制程半導(dǎo)體技術(shù)的管控協(xié)議進(jìn)一步豐富,已經(jīng)達(dá)成共識(shí)的內(nèi)容包括先進(jìn)制程的光刻機(jī)設(shè)備,但不限于先進(jìn)制程。中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體調(diào)研機(jī)構(gòu)認(rèn)為,這意味著傳言中的深紫外DUV光刻機(jī)會(huì)被納入到禁令之中。

  按照波長(zhǎng)不同,DUV光刻機(jī)可以劃分為248nm(KrF)和193nm(ArF)兩大類(lèi)。其中,193nm的機(jī)器又有干法和浸入式(濕式)兩種,前者的工藝制程在130nm-65nm,后者先進(jìn)制程的工藝節(jié)點(diǎn)為16nm-7nm、成熟制程的工藝節(jié)點(diǎn)為45nm-22nm。浸入式DUV光刻機(jī)多用于在應(yīng)用于先進(jìn)制程芯片的同時(shí),也廣泛應(yīng)用于45nm及以下成熟制程中。美國(guó)、荷蘭、日本擬議中即將加入管控范圍的即是DUV浸入式光刻機(jī)。這個(gè)地球上,它由阿斯麥和尼康兩家壟斷。

  中國(guó)專(zhuān)家大多認(rèn)為三國(guó)結(jié)盟后的制裁措施聊勝于無(wú),自力更生的激情會(huì)彌補(bǔ)技術(shù)上暫時(shí)的短板,越封鎖越有利于中國(guó)半導(dǎo)體。中國(guó)之外的分析則認(rèn)為,在新的措施實(shí)施后,中國(guó)45nm及以下成熟制程芯片的生產(chǎn)會(huì)遭到重創(chuàng)。中芯國(guó)際、上海華虹、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)會(huì)的營(yíng)運(yùn)會(huì)更加困難,僅靠裁員已經(jīng)不能解決問(wèn)題。

  在成熟制程的光刻機(jī)遭遇封禁后,中國(guó)批量的半導(dǎo)體廠(chǎng)家將被迫轉(zhuǎn)向低端產(chǎn)品,這讓中國(guó)汽車(chē)、特別是新能源汽車(chē)領(lǐng)域遇到更大的挑戰(zhàn)。

  據(jù)汽車(chē)FPC小編了解,現(xiàn)在,傳統(tǒng)燃油車(chē)廠(chǎng)家采用130nm制程芯片已經(jīng)成為過(guò)去,不斷堆積的座艙應(yīng)用、穩(wěn)步增加的大屏數(shù)量迫使他們?cè)黾?8nm芯片的數(shù)量。新能源汽車(chē)特別是純電車(chē)型,需要技術(shù)更加先進(jìn)的芯片。每輛新能源車(chē)上,三電系統(tǒng)、車(chē)規(guī)級(jí)MCU、激光雷達(dá)、智能傳感器、存儲(chǔ)類(lèi)等的1000-5000顆芯片,已經(jīng)邁向高端。中國(guó)本土半導(dǎo)體廠(chǎng)家的能力,已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)的需求。

  自車(chē)載芯片供應(yīng)危機(jī)出現(xiàn)至今,上汽、東風(fēng)、北汽、長(zhǎng)城、吉利、五菱、比亞迪、蔚來(lái)、理想、小鵬、零跑等一眾廠(chǎng)家紛紛下場(chǎng)造芯。這其中不乏優(yōu)秀的設(shè)計(jì)企業(yè),但他們都無(wú)法繞過(guò)半導(dǎo)體制造。原本先進(jìn)制程的芯片,可以委托臺(tái)積電、三星等代工。成熟制程的芯片,可以與中國(guó)本土的半導(dǎo)體廠(chǎng)家進(jìn)行合作。現(xiàn)在,45nm的光刻機(jī)供應(yīng)被釜底抽薪,中國(guó)汽車(chē)半導(dǎo)體自給自足供應(yīng)鏈的未來(lái),就成了未知數(shù)。

  據(jù)汽車(chē)FPC小編了解,根據(jù)中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)百人會(huì)的統(tǒng)計(jì),國(guó)內(nèi)車(chē)載芯片的自給率不足10%,計(jì)算與控制、通訊、感知類(lèi)芯片的自給率均低于5%。高通驍龍8155芯片的裝車(chē)范圍,基本說(shuō)明了問(wèn)題所在。在外部環(huán)境不改變的情況下,中國(guó)汽車(chē)半導(dǎo)體的脖子會(huì)被越卡越緊。中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為,中國(guó)本土廠(chǎng)家會(huì)逐漸失去車(chē)載半導(dǎo)體市場(chǎng),中國(guó)新能源汽車(chē)的警報(bào)會(huì)隨時(shí)響起。

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銅厚:1/3 OZ
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銅   厚:1/2 OZ
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材   料:雙面無(wú)膠電解材料
銅   厚:1/3OZ
表面處理:沉金1微英寸
最小線(xiàn)寬/線(xiàn)距:0.05mm/0.05mm
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特   點(diǎn):產(chǎn)品都經(jīng)過(guò)100%燒錄測(cè)試
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層   數(shù):2
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材   料:雙面無(wú)膠電解材料
銅   厚:1/3 OZ
特   點(diǎn):產(chǎn)品都經(jīng)過(guò)100%燒錄測(cè)試
表面處理:沉金2微英寸
最小線(xiàn)寬/線(xiàn)距:0.07mm/0.06mm
電磁膜:2面
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型   號(hào):RM02C00247A
層   數(shù):2
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銅   厚:1/3 OZ
表面處理:沉金1微英寸
最小線(xiàn)寬/線(xiàn)距:0.07mm/0.07mm
電磁膜:2面
特   點(diǎn):產(chǎn)品都經(jīng)過(guò)100%燒錄測(cè)試
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型   號(hào):RM02C00892A
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銅   厚:1/3 OZ
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